Conference Papers (Domestic)

 

  1. 이재만, 금우용, 남기영, 최민석, 이재성, “CMOS 기반 264-GHz 주입 고정 발진기 배열, ” 2025년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2025.
  2. 이용현, 금우용, 최민석, 김명재, 이영규, 이재성, “교차 결합 커패시터 중화 기법을 활용한 CMOS 기반 140-GHz 차동 저잡음 증폭기 설계, ” 2025년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2025.
  3. 장재원, 금우용, 이재만, 김명재, 이재성, “CMOS 기반 600-GHz 광대역 수신단, ” 2025년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2025.
  4. 장재원, 금우용, 남기영, 김명재, 이재성, “28-nm CMOS 공정 기반 FMCW 레이다용 70-GHz 신호원, ” 2025년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2025.
  5. 김명재, 장재원, 이재성, “A 280-GHz Amplifier-Frequency-Doubler Chain Based on 28-nm CMOS Technology, ” 2025년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2025.
  6. 금우용, 이재만, 최민석, 이재성, “40.5-GHz 대역폭을 갖는 65-nm CMOS 기반 D-band 저잡음 증폭기,” 2025년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2025.
  7. 이영규, 금우용, 최민석, 김명재, 이재성, “28-nm CMOS 공정 기반 손실 커패시터 과중화 기법을 사용한 D-band 저잡음 증폭기 설계,” 2025년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2025.
  8. 장재원, 금우용, 이재만, 남기영, 이재성, “600 GHz 대역 CMOS 기반 양방향 송수신단,” 2025년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2025.
  9. 최민재, 금우용, 이재만, 남기영, 장재원, 최민석, 김명재, 이재성, “A 140-GHz Differential Low Noise Amplifier using Cross-Coupled Capacitors based on 28-nm Technology,” 2024년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2024.
  10. 최민영, 금우용, 이재만, 남기영, 장재원, 최민석, 김명재, 이재성, “28-nm CMOS 공정 기반 커패시터 크로스 커플링을 이용한 140-GHz 차동 저잡음 증폭기 설계,” 2024년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2024.
  11. 최민석, 금우용, 이재만, 남기영, 장재원, 김명재, 이재성, “28-nm CMOS 공정 기반 상호-적층 트랜스포머를 활용한 D-band 저잡음 증폭기,” 2024년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2024.
  12. 이영규, 금우용, 이재만, 남기영, 장재원, 김명재, 이재성, “28-nm CMOS 공정 기반 4―153-GHz 행렬분산 증폭기 설계,” 2024년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2024.
  13. 최민석, 금우용, 이재만, 남기영, 장재원, 김명재, 이재성, “A 140-GHz Low-Noise Amplifier Design with Capacitive Neutralization Technique Based on 28-nm CMOS Technology,” 2024년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2024.
  14. 김명재, 금우용, 이재만, 이재성, “250-nm InP HBT 공정 기반 300-GHz Class-A 차동 전력증폭기 설계,” 2024년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2024.
  15. 남기영, 금우용, 이재만, 장재원, 최민석, 김명재, 이재성, “A 230-GHz ×12 Frequency Multiplier Chain in 250-nm InP HBT Technology,” 제 31회 한국반도체 학술대회, Korea, Jan, 2024.
  16. 금우용, 이재만, 남기영, 장재원, 최민석, 이재성, “A D-Band Low Noise Amplifier Based on 28-nm CMOS Technology,” 제 31회 한국반도체 학술대회, Korea, Jan, 2024.
  17. 최민석, 남기영, 이재만, 금우용, 장재원, 이재성, “A 600-GHz Frequency Doubler Based on 250-nm InP Process with 3-dB Bandwidth of 50 GHz,” 2023년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2023.
  18. 장재원, 금우용, 이재만, 남기영, 이재성, “28-nm CMOS 공정 기반 전압 제어 발진기 및 주파수 4분주기,” 2023년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2023.
  19. 이수윤, 금우용, 이재만, 이재성, “28-nm CMOS 공정 기반 140-GHz 저잡음 증폭기 설계,” 2023년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2023.
  20. 박선우, 금우용, 이재만, 이재성, “A D-Band Low-Noise Amplifier in 28-nm CMOS Technology,” 2023년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2023.
  21. 김명재, 금우용, 남기영, 이재만, 이재성, “250-nm InP HBT 공정 기반 300-GHz 증폭기,” 2023년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2023.
  22. 장재원, 이재만, 남기영, 금우용, 이재성, “65-nm CMOS 공정 기반 140-to-280 GHz 주파수 체배기,” 2023년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2023.
  23. 김명재, 금우용, 이재성, “65-nm CMOS 공정 기반 140-GHz 저잡음 증폭기 설계,” 2023년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2023.
  24. 최민석, 금우용, 이재만, 남기영, 이재성, “A 280-GHz Push-Push Oscillator in 65-nm CMOS,” 2023년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2023.
  25. 남기영, 손희강, 금우용, 이재성, “250-nm InP HBT에 기반한 700-GHz 발진기 설계,” 2023년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2023.
  26. 남기영, 금우용, 유정환, 김도윤, 손희강, 이재성, “SiGe HBT에 기반한 240-GHz 증폭기-주파수 체배기 체인 설계,” 2023년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 2023.
  27. 이재만, 금우용, 김도윤, 이재성, “마이크로스트립-슬롯선로 신호전달을 이용한 140-GHz 2 방향 전력 결합기,” 2022년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug, 2022.
  28. 임기현, 이재성, “A V-band Frequency Tripler in 250-nm InP HBT,” 제 29회 한국반도체 학술대회, Korea, Feb, 2022.
  29. 금우용, 유정환, 이재성, “65-nm CMOS 공정 기반 67-GHz 전압 제어 발진기,” 제 29회 한국반도체 학술대회, Korea, Feb, 2022.
  30. 금우용, 손희강, 유정환, 김도윤, 이재성, “250-nm InP HBT 공정 기반 300 GHz 대역 전압 제어 발진기,” 2021년도 한국전자파학회 추계학술대회, Korea, Nov. 19, 2021.
  31. 유정환, 이재성, “A 300-GHz Frequency Doubler Integrated with a Driving Amplifier Based on SiGe biCMOS Technology,” 제 21회 RF/아날로그 회로 워크샵, Korea, Sep, 2021.
  32. 조민제, 조재헌, 송기룡, 김도윤, 김정수, 이재성, “600 GHz 6 × 6 Array Imaging Detector in 65 nm CMOS,” 2021년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb. 18, 2021.
  33. 민상기, 유정환, 임기현, 이재성, “28-nm CMOS 기반 두 전송선로를 활용한 120-GHz VCO 설계,” 2021년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb. 18, 2021.
  34. 김도윤, 손희강, 이재성, “300-GHz InP 송신기를 이용한 WR-3 대역 링크 실험,” 2021년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb. 18, 2021.
  35. 손희강, 이재성, “공간 전력 합성에 기반한 고출력 InP HBT 590-GHz 신호원,” 2020년도 한국전자파학회 추계종합학술대회, Korea, Nov. 20, 2020.
  36. 손희강, 김도윤, 이재성, “580-GHz InP Signal Source with On-chip Antenna,” 2020년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug. 19, 2020.
  37. 김정수, 윤종원, 이재성, “60 GHz 대역 테라헤르츠 발진기 개발,” 2020년도 한국전자파학회 하계종합학술대회, Korea, Aug. 19, 2020.
  38. 김도윤, 손희강, 이재성, “A 300-GHz OOK modulator based on InP HBT Technology,” 제20회 RF/아날로그 회로 워크샵, Korea, Sep. 17, 2020.
  39. 김정수, 이재성, “SiGe 공정 기반 265 GHz 헤테로다인 피드백 이미징 수신기,” 제19회 RF/아날로그 회로 워크샵, Korea, Sep. 19, 2019.
  40. 김정수, 유정환, 김도윤, 이재성, “140-GHz SiGe Low Noise Amplifier for Passive Imaging,” 2019년도 한국전자파학회 동계종합학술대회, Korea, Feb, 21, 2019.
  41. 김수연, 윤대근, 유정환, 이현수, 이재성, “65 nm CMOS 공정 기반 213 GHz 혼합형 push-push 발진기 설계,” 제25회 한국반도체학술대회, Korea, Feb. 5, 2018.
  42. Doyoon Kim and Jae-Sung Rieh, “Comparison of Two Layout Options for 110-GHz CMOS LC Cross-Coupled Oscillators,” The Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 18, No. 2, pp. 141-143, April 2018. [Link]
  43. 조재헌, 유정환, 김수연, 이재성, “65-nm CMOS 소자 기반 140-GHz 수신단 개발,” 한국전자파학회종합학술대회, Jeju, Korea, Nov. 23, 2017.
  44. 이현수, 김수연, 유정환, 이재성, “광대역과 높은 선형성을 가지는 140-GHz Double Balanced 상향 변환 혼합기,” 한국전자파학회종합학술대회, Jeju, Korea, Nov. 23, 2017.
  45. 유정환, 이재성, “커플드 라인 기반의 CMOS 260-GHz 트리플-푸시 전압제어발진기,” 한국전자파학회종합학술대회, Jeju, Korea, Nov. 23, 2017.
  46. 김도윤, 이재성, “두 65 nm CMOS 기반 110 GHz 대역 발진기,” 한국전자파학회종합학술대회, Jeju, Korea, Nov. 23, 2017.
  47. 김수연, 윤대근, 김남형, 김도윤, 이재성, “65 nm CMOS 공정 기반 134 GHz 헤테로다인 수신기,” 한국전자파학회하계학술대회, Jeju, Korea, Aug. 24 – 26, 2017.
  48. 김도윤, 유정환, 이재성, “65-nm CMOS 공정 기반 115-GHz LC Cross-Coupled 발진기,” 한국전자파학회하계학술대회, Jeju, Korea, Aug. 24 – 26, 2017.
  49. Junghwan Yoo and Jae-Sung Rieh, “CMOS 120-GHz Phase-Locked Loops based on Two Different VCO Topologies,” The Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 17, No. 2, pp. 98-104, April 2017. [Link]
  50. J. Kim, M. G. Seo, and J. S. Rieh, “A CMOS 180-GHz signal source with an integrated frequency doubler,” Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 16, No. 4, pp. 229–231, 2016. [Link]
  51. 서명교, 이재성, “저항 피드백을 이용한 광대역 저잡음 증폭기 설계,” 한국전자파학회종합학술대회, Seoul, Korea, Dec. 2, 2016.
  52. Kiryong Song, Doyoon Kim, and Jae-Sung Rieh, “A CMOS 300-GHz 7×7 Detector Array for THz Imaging,” RF/Analog Circuit Workshop, pp., Jeju, Korea, Sept. 8 – 9, 2016.
  53. 김도윤, 김동현, 이재성, “D-밴드 CMOS 수신단 및 이에 기반한 링크 실험,” 한국전자파학회하계학술대회, Jeju, Korea, June 26 – 28, 2016.
  54. 김문일, 이재성, 전상근, 정진호, “테라헤르츠 전자소자를 이용한 보안 검색용 이미징 시스템 구현,” 한국군사과학기술학회 종합학술대회, Jeju, Korea, June 9 – 10, 2016. [Link]
  55. 김정수, 이재성, “주파수 체배기가 집적된 CMOS 기반 180 GHz 신호원”, 한국전자파학회종합학술대회, Seoul, Korea, Nov. 27, 2015.
  56. Seungyoon Jung, Jongwon Yun, and Jae-Sung Rieh, “A D-Band Integrated Signal Source based on SiGe 0.18 μm BiCMOS Technology,” The Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 15, No. 4, pp. 232-238, Oct. 2015. [Link]
  57. 정승윤, 손희강, 이재성, “SiGe 300 GHz 주파수 체배기,” 한국전자파학회하계학술대회, Jeju, Korea, Aug. 20, 2015.
  58. Daekeun Yoon, Mehmet Kaynak, Bernd Tillack, and Jae-Sung Rieh, “A Wideband H-Band Image Detector based on SiGe HBT Technology,” The Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 14, No. 1, pp. 59-61, Jan. 2015. [Link]
  59. Younga Cho, Dong-Hyun Kim, Namhyung Kim, and Jae-Sung Rieh, “A 900 MHz RFID Receiver with an Integrated Digital Data Slicer,” The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 16, No. 1, pp. 63-70, Jan. 2015. [Link]
  60. Seungyoon Jung, Jongwon Yun, Namhyung Kim, and Jae-Sung Rieh, “CMOS Based D-Band Push-Push Voltage Controlled Oscillator,” The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 25, No. 12, pp. 1236-1242, Dec. 2014. [Link]
  61. Namhyung Kim and Jae-Sung Rieh, “65-nm Si CMOS 공정 기반 123 GHz 위상동기루프 (Phase Locked Loop),” RF/Analog Circuit Workshop, pp. 428-429, Jeju, Korea, Sept. 18, 2014.
  62. Daekeun Yoon and Jae-Sung Rieh, “SiGe HBT 공정 기반 300 GHz 대역 이미징 검출기,” RF/Analog Circuit Workshop, pp. 441-442, Jeju, Korea, Sept. 18, 2014.
  63. 정승윤, 윤종원, 김남형, 이재성, “CMOS 기반 160 GHz 대역 전압제어발진기,” 한국전자파학회하계학술대회, p. 57, Jeju, Korea, Aug. 22, 2014.
  64. 조영아, 김동현, 이재성, “0.11-μm CMOS 공정 기반 900 MHz 대역 RFID 수신단.” 한국전자파학회하계학술대회, p. 285, Jeju, Korea, Aug. 22, 2014.
  65. Daekeun Yoon, Kiryong Song, and Jae-Sung Rieh, “A 300 GHz Imaging Detector and Image Acquisition Based on 65-nm CMOS Technology,” The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 25, No. 7, pp. 791-794, July 2014. [Link]
  66. Namhyung Kim, Jongwon Yun, and Jae-Sung Rieh, “A 60/120 GHz Push-push Voltage Controlled Oscillator in 65 nm CMOS Technology,” 반도체학술대회, p. 150, Seoul, Korea, Feb. 25, 2014.
  67. Namhyung Kim, Jongwon Yun, and Jae-Sung Rieh, “A 60 GHz Injection-Locked Frequency Divider in 65 nm CMOS Technology,” 반도체학술대회, p. 151, Seoul, Korea, Feb. 25, 2014.
  68. Namhyung Kim, Jongwon Yun, and Jae-Sung Rieh, “A 5 GHz Phase Locked Loop in 0.11-mm CMOS Technology,” 반도체학술대회, p. 152, Seoul, Korea, Feb. 25, 2014.
  69. Daekeun Yoon, Namhyung Kim, Dong-Hyun Kim, and Jae-Sung Rieh, “A 145 GHz Imaging Detector based on 65-nm RFCMOS Technology,” The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 24, No. 11, pp. 1027-1033, Nov. 2013. [Link]
  70. Jongwon Yun and Jae-Sung Rieh, “A High Power 315 GHz Oscillator based on InP HBT Technology,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 495-496, Jeju, Korea, Sept. 26, 2013.
  71. Daekeun Yoon and Jae-Sung Rieh, “SiGe HBT 공정 기반 120 – 150 GHz 광대역 이미징 수신단,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 533-534, , Jeju, Korea, Sept. 26, 2013.
  72. Jongwon Yun, Namhyung Kim, and Jae-Sung Rieh, “InP HBT 기반 250 GHz 대역 전압제어발진기,” 한국전자파학회하계학술대회, p. 89 , Jeju, Korea, Aug. 23, 2013.
  73. Daekeun Yoon and Jae-Sung Rieh, “A 200 GHz Subharmonic Mixer with Integrated VCO in a 0.18 µm SiGe Technology,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 537-538, Jeju, Korea, Sept. 21, 2012.
  74. Kyungmin Kim, Namhyung Kim, and Jae-Sung Rieh, “A 140 GHz Colpitts Push-Push VCO in a SiGe BiCMOS Technology,” 반도체학술대회, pp. 194-195, Seoul, Korea, Feb. 15, 2012.
  75. Yongho Oh, Hyunchul Kim, and Jae-Sung Rieh, “Comparison of CE and CB configurations of SiGe HBTs for Power Gain and Stability,” 반도체학술대회, pp. 192-193, Seoul, Korea, Feb. 15, 2012.
  76. Kyungmin Kim, Namhyung Kim, and Jae-Sung Rieh, “A 70/140 GHz Dual-Band Push-Push VCO Based on 0.18-μm SiGe BiCMOS Technology,” The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 23, No. 2, pp. 207-212, Feb. 2012. [Link]
  77. Kyungmin Kim, Namhyung Kim, and Jae-Sung Rieh, “A 200 GHz Triple-Push VCO in a 0.18µm SiGe Technology,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 541-542, Jeju, Korea, Sept. 22, 2011.
  78. Hyunchul Kim, Sungjin Kim, and Jae-Sung Rieh, “A 100 GHz Wide-band Amplifier in a 0.18µm SiGe Technology,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 543-544, Jeju, Korea, Sept. 22, 2011.
  79. Hyogi Seo, Jongwon Yun, and Jae-Sung Rieh, “A 54-GHz Injection-Locked Frequency Divider Based on 0.13-µm RFCMOS Technology,” The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 22, No. 5, pp. 522-527, May 2011. [Link]
  80. Hyogi Seo, Seungwoo Seo, Jongwon Yun, and Jae-Sung Rieh, “A 140 GHz Divide-by-2 Inductive Feedback Injection Locked Frequency Divider in a 90nm CMOS Technology,” 반도체학술대회, Jeju, Korea, Feb. 17, 2011.
  81. Jae-Sung Rieh, Namhyung Kim, and Moonil Kim, “Introduction to THz Electronics,” 한국전자파학회 종합학술발표회, Vol. 20, No.1, p. 29, Nov. 26, 2010.
  82. Dong-Hyun Kim and Jae-Sung Rieh, “A 24-GHz Wide-IF Down-conversion Mixer Based on 0.13-µm RFCMOS Technology,” The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 21, No. 11, pp. 1235-1240, Nov. 2010. [Link]
  83. Namhyung Kim, Kyungmin Kim, and Jae-Sung Rieh, “A 70/140 GHz Dual-Band Push-Push VCO in a 90-nm CMOS Technology,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 451- 452, Jeju, Korea, Sept. 9, 2010.
  84. Sungjin Kim, Dong-Hyun Kim, Junghan Choi, and Jae-Sung Rieh, “A 58-72 GHz Wideband Variable Gain Low Noise Amplifier in a 65-nm RFCMOS Technology,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 441 – 442, Jeju, Korea, Sept. 9, 2010.
  85. Seungwoo Seo, Hyogi Seo, and Jae-Sung Rieh, “A 18 GHz Divide-by-4 Injection-Locked Frequency Divider Based on a Ring Oscillator,” The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol. 21, No. 5, pp. 453-457, May 2010. [Link]
  86. Seungwoo Seo, Hyogi Seo, and Jae-Sung Rieh, “A 30 GHz Divide-by-3 Ring-based Injection Locked Frequency Divider with a Wide Locking Range,” 반도체학술대회, pp.183-184, Daegu, Korea, DPF Feb. 25, 2010.
  87. Seungwoo Seo and Jae-Sung Rieh, “A Millimeter-Wave Injection-Locked Frequency Divider Employing Inductive Feedback for Locking Range Enhancement,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp.499-500, Jeju, Korea, Sept. 17, 2009.
  88. Yongho Oh, Sooyeon Kim, Seungyong Lee, and Jae-Sung Rieh, “Design Optimization of MOS Varactors for High Q-factor in the Millimeter-Wave Band,” 반도체학술대회, pp.630-631, Daejeon, Korea, Feb. 18, 2009.
  89. Namhyung Kim, Seungyong Lee, and Jae-Sung Rieh, “A CMOS Millimeter-Wave Cross-Coupled LC VCO for 60 GHz WPAN Application,” Journal of Semiconductor Science and Technology, Vol. 8, No. 4, pp. 295-301, Dec. 2008. [Link]
  90. Yongho Oh, Seungyong Lee, and Jae-Sung Rieh, “Effect of Substrate Digital Noise Coupling on the Microwave Noise Performance of RF MOSFETs,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 418-419, Jeju, Korea, Sept. 4-6, 2008.
  91. Namhyung Kim, Seungyong Lee, and Jae-Sung Rieh, “A CMOS Millimeter-Wave Cross-Coupled LC VCO for 60 GHz WPAN Application,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, pp. 397-398, Jeju, Korea, Sept. 4-6, 2008.
  92. Kihan Kim and Jae-Sung Rieh, “A 24 GHz Mixer in 0.13-mm RFCMOS Technology,” 한국전기전자학회 추계학술대회, pp. 36-37, Seoul, Korea, Dec. 15, 2007.
  93. Kihan Kim, Seungyong Lee, and Jae-Sung Rieh, “Fast EM Simulation-Based Parasitic Extraction for Quasi-Millimeter-Wave Circuits,” RF Integrated Circuit Technology Workshop, p. 521, Jeju, Korea, Sept. 13-15, 2007.
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